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Sharp 的三接é¢å¤ªé˜³èƒ½ç”µæ± 获得æˆåŠŸ
SHARP å…¬å¸åˆ©ç”¨å †å 䏉层光叿”¶å±‚的三接é¢åŒ–åˆç‰©å¤ªé˜³èƒ½ç”µæ± 以 37.9% çš„è½¬æ¢æ•ˆçŽ‡æ‰“ç ´äº†ä¸–ç•Œçºªå½•ã€‚
Sharp 之所以能够å–得最新çªç ´æ€§è¿›å±•,得益于由日本的新能æºäº§ä¸šæŠ€æœ¯ç»¼åˆå¼€å‘机构 (NEDO) 推动的主题为"åˆ›æ–°å¤ªé˜³èƒ½ç”µæ± ç ”å‘"çš„ç ”å‘计划。
37.9% 的测é‡å€¼åˆ›ä¸‹äº†å…¨çƒæœ€é«˜è½¬æ¢æ•ˆçŽ‡çºªå½•ï¼Œå¹¶å¾—åˆ°äº†æ—¥æœ¬äº§ä¸šæŠ€æœ¯ç»¼åˆç ”究所 (AIST) 的确认。
化åˆç‰©å¤ªé˜³èƒ½ç”µæ± 是一ç§å…·æœ‰å…‰å¸æ”¶å±‚çš„å¤ªé˜³èƒ½ç”µæ± ï¼Œå…‰å¸æ”¶å±‚以由铟ã€é•“ç‰ä¸¤ç§ä»¥ä¸Šå…ƒç´ æž„æˆçš„化åˆç‰©ä¸ºææ–™åˆ¶æˆã€‚
该最新三接é¢åŒ–åˆç‰©å¤ªé˜³èƒ½ç”µæ± 的结构采用了 Sharp ç‹¬æœ‰æŠ€æœ¯ï¼Œå®žçŽ°ä¸‰å±‚å…‰å¸æ”¶å±‚çš„é«˜æ•ˆå †å ,其ä¸åº•层使用的 InGaAs ï¼ˆé“Ÿé•“ç ·ï¼‰ã€‚
Sharp æ¤æ¬¡é€šè¿‡ä½¿é“Ÿã€é•“å’Œç ·çš„ç»„æˆæ¯”æœ€ä½³åŒ–ï¼Œå®žçŽ°äº†æŒ‰ç…§å¤ªé˜³å…‰çš„æ³¢é•¿é«˜æ•ˆå¸æ”¶å…‰çº¿ã€‚
这一改进让 Sharp 实现了 37.9% çš„ä¸–ç•Œæœ€é«˜å¤ªé˜³èƒ½ç”µæ± è½¬æ¢æ•ˆçŽ‡ã€‚

